日前，寧波時代全芯PCM芯片建設(shè)項目在寧波鄞州工業(yè)園區(qū)奠基。這是國內(nèi)首個相變存儲芯片制造基地。也就是說，不久后的未來,中國首個擁有自立知識產(chǎn)權(quán)的存儲芯片將在這里制造生產(chǎn)。

　　據(jù)介紹，相變存儲，是繼內(nèi)存、閃存之后的新一代數(shù)據(jù)存儲技術(shù)，可廣泛應(yīng)用于移動設(shè)備、大數(shù)據(jù)存儲及云存儲平臺。相變存儲芯片的讀寫壽命高達(dá)1000多萬次，可以存得更穩(wěn)固，更安全,更節(jié)省空間。據(jù)說，全球搜索巨頭谷歌的重大數(shù)據(jù)信息，存儲在美國面積達(dá)3個足球場大小的存儲器里，而假如悉數(shù)用新一代存儲技術(shù)——相變存儲技術(shù)，只需20平方米的存儲器就可以搞定。2013年11月，浙江一民企自立研發(fā)的55納米相變存儲芯片正式問世。此前，只有美國美光和韓國三星兩家企業(yè)將這項技術(shù)投入量產(chǎn)。

　　寧波時代全芯科技有限公司負(fù)責(zé)人透露表現(xiàn)，寧波時代全芯PCM芯片建設(shè)項目一期總投資為1.5億美金，計劃5年后啟動二期項目，總投資超過20億美元。(每日商報)